近日，ObjectiveAnalysis和CoughlinAssociates新发布的报告显示，新的存储器已经开始增长，到2032年攀升至约440亿美元。
目前的存储技术包括闪存（NAND和NOR），DRAM和SRAM，虽然占据了目前最大的市场份额，但在持续改进方面面面临着隐藏的技术限制，难以满足人工智能、物联网、5G新兴应用领域对存储和计算的性能要求越来越高。
因此，我们努力开发新的存储技术。这些新技术在能效比高的同时，大多采用非易损存储技术，可用于长期存储或提供无电时不丢失数据的存储器。这为电池、环境供电设备和数据中心的节能带来了优势。
报告指出，替代包含通过替代包含NOR闪存，SRAM和DRAM包括现有技术在内的新兴内存市场最初将增长到440亿美元。新存储器将取代微处理器，ASIC甚至计算Cpu独立存储芯片和嵌入式存储，未来将成长为自己的新市场。
“这是未来十年值得关注的半导体市场，”CoughlinAssociates总裁ThomasCoughlin博士说,“参与市场的人可以计划实现显著增长。”
SoC设计师和用户竞争力的功耗和系统响应能力，设计师和用户将这些新的非易失性存储器整合到前沿设计中。使用这种方法的人将享有巨大的市场优势。
“所有类型系统的设计师都发现新兴存储器带来了以前无法获得的新优势，”ObjectiveAnalysis总经理JimHandy说。随着新的嵌入式存储类型降低功耗，物联网将发生革命性的变化。更大的系统正在改变其架构，以选择长期内存来改变延迟和数据完整性。”
报告单独解释MRAM和STT-RAM收入将如何增长到14亿美元左右，或2021年单独增长MRAM30倍以上的收入。与此同时，嵌入式的。RRAM和MRAM将竞争替代SoC大多数嵌入式NOR和SRAM，然后促进更大的收入增长。
目前，新存储领域相对完善的技术路线主要是改变存储器（PCM），磁变存储器（MRAM），铁电存储器（FRAM），以及阻变存储器（RRAM）4种。PCM不同的阻值是通过相变材料相态的变化获得的，MRAM改变磁性材料中磁类/自旋磁芯的方向，FRAM利用“铁电”存储数据的效应，RRAM通过阻变材料中导电通道的产生或关闭来实现电阻变化。
因为RRAM独特的随机和电气特性，基于独特的随机和电气特性，RRAM的PUF（physicalunclonablefunction物理不可复制)技术可以为数据提供更有力的保护，应用于安全存储等领域；此外，高能效、低功耗RRAM它具有丰富的开关动态，可以支持大规模集成、低功耗外部设备和特定的应用架构，用于构建脑计算芯片和系统，使其在人工智能、存储计算和模仿人脑的应用中具有显著优势，成为下一代内存的主要竞争对手。
新存储的增长不是一蹴而就的，未来几年，DRAM和NANDFlash它将继续在存储芯片市场中占据主导地位。但随着5个。G，随着人工智能等新兴领域的快速发展，强劲的市场需求也为新存储带来了强大的发展动力。随着各大半导体厂商的投资，新兴存储器的工业化进程已经按下了快进键。
从长远来看，存储器更直接地塑造了全球半导体产业模式。在下一代信息产业和数字经济的发展中，存储器的前提功能更加突出。谁掌握了存储器研发和制造的关键技术，谁将在新一轮的信息产业和数字经济竞争中采取主动。