VOA在线网消息,据台湾媒体《经济日报》报道,晶圆代工厂台积电2nm该工艺将于2025年量产,市场看好进展,有望领先三星和英特尔。
台积电先进工艺进展顺利,3nm今年下半年量产,升级版3nm(N3E)制程将在3nm量产一年后量产,即2023年量产,2023年量产,nm预计2025年量产。台积电2025年台积电。nm工厂将实施竹科宝山二期扩建计划,“竹科管理局”已开展公共设施建设,台积电2nm工厂也开始整地工作。台积电2nm第一次选择纳米片架构,与纳米片架构相比,N3E在相同功耗下,工艺频率可提高10%至15%。在相同频率下,功耗降低25%至30%。
台积电CEO魏哲家近日在技术论坛上强调,台积电2nm它将是密度和效率最好的技术。市场也看好,台积电2台积电2nm进展将领先三星和英特尔。
此前有消息称,虽然是3,nm几代人略有传统,但无论如何,鳍片都是传统的,(Fin)总宽度接近实际极限,然后会遇到瓶颈,因此外国法人估计台积电2nm先进工艺采用围绕闸极场效晶体GAAFET高档架构生产2nm芯片。