上海南林电子有限公司（以下简称南林电子）近日宣布，公司于2022年9月9日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的发明专利证书。
专利名称为“基于肖特基MOSFET单片集成光电耦合器及制备方法”，专利号为ZL202210700978.3。根据国家知识产权局的专利摘要，本发明在同一半导体的基础上制备了肖特基MOSFET外围电路和光子集成电路通过外围电路控制光子集成电路中能见光的发射和检验，实现信号片内完整的传输功能，同时制备高性能光电器件和电子器件；完美的硅基衬底可以使用MEMS加工工艺线对批量生产和降低生产成本具有重要意义；肖特基基MOSFET栅极漏电流小，源漏区结深浅，结电容小，短沟效应不明显，易于替代现有硅基MOSFET实现集成电路移植；肖特基MOSFET无需复杂的离子注入技术，加工过程中无需引入延伸材料的生长，与光子集成电路的制备工艺完全兼容，降低了单光电子集成电路的加工难度。
南林电子在公告中指出，专利发明的获取反映了公司持续的技术创新能力，有利于加强对自身知识产权的保护，提高公司的核心竞争力。