9月12日，康奈尔大学的科学家们用一个改进的家用微波炉突破了2nm论文发表于半导体工艺生产的主要障碍中AppliedPhysicsLetters。
为了缩小半导体工艺，硅必须与越来越高的磷浓度混合，以促进精确稳定的电流传输。目前，随着行业开始大规模生产3nm传统的退火方法仍然有效。然而，随着精度的进一步提高，需要确保磷浓度高于硅中的平衡和溶解度。除了实现更高的浓度水平外，一致性对功能性半导体材料的制造也至关重要。
台积电此前推断，微波可用于退火（加热）过程，以促进磷混合浓度的增加。然而，以前的微波加热源往往会产生驻波，这不利于加热的一致性。简单地说，以前的微波退火设备加热内容会加热不均匀。
康奈尔大学的科学家们得到了台积电的支持，进行了微波退火研究。本周早些时候，康奈尔大学发表了一篇由此产生的论文，先进的微波退火方法“成功克服了溶解度高、混合稳定的基本挑战”。
该论文名叫“通过微波退火，对掺杂超过溶解极限的磷的纳米片硅进行有效稳定的活性”。该技术适用于最新的纳米片晶体管技术，台积电表示将使用2nm纳米片生产环栅场效应晶体管(GAAFET)。
VOA在线网得知，论文的主要作者，材料科学与工程系研究教授JamesHwang告知康奈尔新闻博客：“这种新的微波方法可以将台积电、三星等领先厂商缩小到2nm工艺。”
这项研究将继续进行，并获得了进一步的资金。